Il CES 2018 è ancora lontano, ma sono già stati conferiti gli Innovation Awards. Samsung ne ha ottenuti ben 36 e tra i tanti ce ne sono tre che riguardano il mondo dell’hardware. Il primo è stato ottenuto per la nuova memoria GDDR6 che vedremo a bordo delle schede video di prossima generazione.
Samsung ha creato una memoria a 16 Gbps con un bandwidth di 64 GB/s, “equivalente al trasferimento di circa 12 DVD Full HD al secondo. La nuova DRAM può operare a 1,35 volt e offre ulteriori vantaggi rispetto all’attuale memoria che richiede 1,5V a soli 8 Gbps”.
In passato l’azienda sudcoreana parlava di GDDR6 a 14 / 15 Gbps, quindi il fatto che ora si parli di 16 Gbps fa ben sperare per il futuro. Ricordiamo che anche Micron e Sk hynix realizzeranno memorie GDDR6 – potete approfondire qui: Differenze tra memoria GDDR5X e GDDR6, cosa cambia.
Il secondo Innovation Award riguarda un nuovo chip mobile ad alte prestazioni, l’Exynos 9 9810, da tutti indicato come il possibile processore del prossimo top di gamma Galaxy S9. Samsung lo descrive come un processore dotato di core personalizzati di terza generazione, GPU aggiornata e modem gigabit LTE con supporto 6CA (carrier aggregation). Probabilmente questo chip permetterà velocità in downlink fino a 1,2 Gbps. L’Exynos 9 9810 sarà prodotto con processo a 10 nanometri di seconda generazione.
Samsung, infine, porterà alla manifestazione statunitense un SSD NVMe da 8 terabyte chiamato PM983. Si tratta di un prodotto in formato NGSFF, acronimo di Next Generation Small Form Factor, pensato per i server rack 1U. “64 di queste unità possono fornire prestazioni di 0,5 petabyte al secondo. Con dimensioni di soli 30,5 x 110 x 4,38 mm, l’unità migliora anche l’uso dello spazio e le opzioni di scaling nei datacenter hyper-scale”.
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In attesa di mettere nei nostri PC un SSD da 8 terabyte a costi umani, l’SSD 960 EVO è un prodotto in grado di soddisfare la stragrande maggioranza degli utenti per molti anni.