• 22 Giugno 2021 13:43

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Globalfoundries punta sui 7 nanometri FinFET, AMD sorride

Set 16, 2016

Globalfoundries, produttore di chip per conto terzi e partner di AMD nella produzione delle ultime GPU Radeon, ha annunciato il nuovo processo produttivo a 7 nanometri FinFET.

L’azienda ha deciso saltare il processo a 10 nanometri, investendo risorse umane ed economiche nella produzione a 7 nanometri.

La scelta è stata dettata dai miglioramenti prestazionali e di consumi solo marginali – rispetto ai 14/16 nanometri FinFET – osservati nelle fasi di ricerca e sviluppo con i 10 nanometri FinFET. I clienti di Globalfoundries potranno iniziare a progettare chip a 7 nanometri dalla seconda metà del 2017, con un primo approccio alla produzione (risk production) all’inizio del 2018.

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Wafer di semiconduttori

La fonderia, nelle mani del governo di Abu Dhabi, promette che grazie al nuovo processo sarà in grado di fornire il doppio della densità e il 30% di prestazioni in più (o il 60% di consumi in meno a parità di condizioni) rispetto a quanto possibile con gli attuali processi a 16/14nm FinFET.

“La piattaforma è basata sull’architettura di transistor FinFET e litografia ottica, con compatibilità EUV nei livelli chiave. Questo approccio accelererà l’incremento della produzione grazie alla possibilità di riusare molti macchinari e processi applicati alla tecnologia a 14 FinFET, che attualmente è prodotta in volumi nella Fab 8 della contea di Saratoga, New York”, si legge in una nota.

Globalfoundries ha intenzione d’investire di diversi miliardi nella Fab 8 per favorire lo sviluppo e la produzione a 7nm FinFET. Inoltre nel centro di Albany (New York), l’azienda sta lavorando anche sul processo a 5 nanometri con litografia EUV.

Lisa Su, CEO di AMD, ha espresso apprezzamento per la scelta del partner, sottolineando che l’azienda di Sunnyvale è pronta a usare il processo produttivo a 7 nanometri nei prossimi anni per realizzare prodotti migliori.

Secondo Gary Patton, CTO di Globalfoundries, i 7 nanometri FinFET rappresentano un die shrink del 30% del processo a 14 nanometri. Il dirigente ha inoltre stimato che i 7 nanometri FinFET potrebbero favorire la creazione di chip per smartphone con frequenza superiore ai 3,5 GHz.

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