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Prestazioni Samsung Z-NAND, l’avversaria di Intel Optane

Nov 20, 2017

Samsung sta preparando la sua risposta alla memoria 3D XPoint di Intel e Micronda diverso tempo e i tempi sembrano maturi per vedere qualcosa di concreto. Nei giorni scorsi l’azienda ha pubblicato informazioni sulle prestazioni che dovrebbe assicurare l’SSD Z-NAND SZ985, un prodotto destinato al mondo dei datacenter e quindi pensato per sfidare l’Optane DC P4800X.

L’SSD dovrebbe garantire un throughput in lettura e scrittura sequenziale fino a 3,2 GB/s, mentre il throughput in lettura / scrittura casuale dovrebbe toccare rispettivamente 750.000 e 170.000 IOPS. Il dato in lettura casuale è particolarmente alto rispetto ad altri SSD basati su memoria NAND, anche se i valori vanno presi con le dovute cautele.

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Samsung conta tra le sue proposte per i datacenter un SSD chiamato PM1725a con memoria 3D TLC in grado di assicurare oltre 1 milione di IOPS in lettura casuale. Purtroppo l’azienda non ha mai inviato l’SSD per una recensione e non ha indicato il tipo di carico usato per misurare quel valore. Test indipendenti di terze parti pongono quel dato più vicino a 700.000 IOPS con un test casuale 4K che rappresenta uno standard industriale.

Samsung SZ985 Z-NAND SSD Intel Optane (3D XPoint) Samsung PM1725a Intel DC P3700
Interfaccia PCIe 3.0 x4 PCIe 3.0 x4 PCIe 3.0 x8 PCIe 3.0 x4
Memoria Z-NAND 3D XPoint 48-layer 3D TLC NAND 20nm MLC NAND
Lettura/scrittura casuale (GB/s) 3.2 / 3.2 2.4 / 2 6.4 / 3 2.8 / 2
Lettura/scrittura casuale IOPS 750.000 / 170.000 550.000 / 500.000 1.080.000* / 170.000 460.000 / 175.000
Latenza lettura casuale 12 – 20µs 10µs 90µs 115µs
Latenza scritture casuali (tipico) 16µs 10µs 20µs 25µs
Drive Writes Per Day (DWPD) 30 30 5 17
Capacità 800 GB 350 / 750 GB 1.6 / 3.2 / 6.4 TB 400 -800 GB / 1.6 – 2 TB

In ogni caso Samsung indica una riduzione della latenza impressionante. L’azienda afferma che l’SZ985 garantisce una latenza di 12-20 µs per le letture casuali e 16 µs per scritture casuali. Si tratta di valori decisamente ridotti rispetto agli SSD tradizionali, ma non al livello delle soluzioni Optane di Intel.

Anche le prestazioni in scrittura casuale dell’SZ985 inseguono quelle di Optane DC P4800X, ma la strategia di Samsung sembra quella di offrire prestazioni “abbastanza buone” a prezzi inferiori a quelli di Intel. Una scelta che potrebbe pagare in un settore come quello dei datacenter, dove il bilanciamento tra prestazioni e prezzo è importante.

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Samsung ha anche pubblicato un confronto prestazionale con il PM1725a in carichi RocksDB, insieme ad alcune misure sintetiche. Abbiamo incluso anche un’immagine (più sotto) delle prestazioni indicate dall’azienda al Flash Memory Summit, cosa che permette di vedere come il rapporto tra latenza e IOPS illustri un ottimo scaling a basse QD rispetto agli SSD Optane di Intel.

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Per quanto i dati siano pochi, l’SSD sembra davvero un ottimo prodotto anche se rimangono alcune domande in attesa di risposta. Samsung non ha pubblicato i valori QoS (quality of service), né le prestazioni al 99esimo percentile che sono un punto di forza degli SSD 3D XPoint. Rimane un punto di domanda anche sulle prestazioni con carichi casuali misti, un aspetto critico delle prestazioni reali.

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Impressionante invece la resistenza: con un valore di 30 DWPD può rivaleggiare con gli SSD Optane di Intel. Samsung non ha invece comunicato informazioni dettagliate sulla Z-NAND, ma ha dichiarato che usa memoria NAND MLC in configurazione SLC, per aumentare sia le prestazioni che la resistenza. A bordo dell’SSD c’è anche un nuovo controller. L’azienda sudcoreana sta anche lavorando a una variante MLC dell’SSD, prestazionalmente leggermente meno veloce ma in grado di offrire maggiore capacità.


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