Il mondo delle memorie è in pieno fermento e mentre le DDR4 sono ormai lo status quo, da tempo si parla già di DDR5. Allo stesso tempo, anche lo sviluppo di altri tipi di memoria procede e per esempio si parla da qualche mese anche della terza generazione di High Bandwidth Memory.
Rambus, che da tempo fa valere più il suo portfolio di brevetti che prodotti reali, ha intenzione di dettare la linea dello sviluppo di queste due nuove memorie e in una conferenza con gli investitori ha tracciato le presunte specifiche delle future soluzioni.
Si parla di processo produttivo a 7 nanometri per HBM3 e DDR5. Nel primo caso ci si aspetta un incremento delle prestazioni di due volte rispetto alle attuali HBM2. Per le DDR5 ci si attende un incremento di 1,5 / 2 volte rispetto al bandwidth delle DDR4. Per le prime DDR5 si pronostica un transfer rate di 4800 Mbps, ma si potrebbe arrivare a 6400 Mbps alla fine dello sviluppo.
Per le HBM3 si parla di un transfer rate di 4000 Mbps e chiaramente ci aspettiamo anche un salto avanti per quanto riguarda la capacità per singolo chip. Non è ancora chiaro quando vedremo questi due nuovi standard sul mercato, ma verosimilmente dovremo attendere il 2020, se non qualcosa oltre.